AMC監(jiān)測(cè)的主要目標(biāo)污染物包括酸類(lèi)、堿類(lèi)、可凝結(jié)物質(zhì)和摻雜物質(zhì)。這些污染物在半導(dǎo)體制造過(guò)程中可能對(duì)晶圓良率產(chǎn)生負(fù)面影響，因此需要對(duì)其進(jìn)行嚴(yán)格監(jiān)測(cè)和控制。

　　

　　1、酸類(lèi)（MA）：酸類(lèi)物質(zhì)，尤其是無(wú)機(jī)酸，對(duì)晶圓良率的負(fù)面影響是半導(dǎo)體從業(yè)者的一大痛點(diǎn)。酸會(huì)腐蝕晶圓表面的金屬線或表面，形成顆粒物沉積到晶圓表面，損壞光刻掩模，以及弱化HEPA濾膜性能。痕量酸類(lèi)物質(zhì)與晶圓良率的具體關(guān)系雖然至今還沒(méi)有系統(tǒng)性的研究，但業(yè)界普遍認(rèn)為快速精確檢測(cè)pptV濃度有機(jī)/無(wú)機(jī)酸的檢測(cè)設(shè)備在半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛使用是必要的。

　　

　　2、堿類(lèi)（MB）：氨氣、有機(jī)胺和酰胺等含氮分子在AMC中是相對(duì)特殊的存在。這些堿類(lèi)分子會(huì)在空氣通過(guò)簡(jiǎn)單的酸堿成核機(jī)理，產(chǎn)生鹽類(lèi)為主的顆粒物，會(huì)有很大可能沉降到晶圓表面或者潔凈室內(nèi)各種外表面。氨氣對(duì)銅等金屬表面具有很強(qiáng)的吸附性，對(duì)金屬參與的制程和儀器內(nèi)外表面都會(huì)產(chǎn)生持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的污染。

　　

　　3、可凝結(jié)物質(zhì)（MCs）：該AMC種類(lèi)主要有塑化劑、有機(jī)磷酸鹽、抗氧化劑、硅氧烷和其他VOCs。MC物種的可凝結(jié)特性意味著在酸堿成核反應(yīng)之后，MC會(huì)凝結(jié)到細(xì)小顆粒物外表面，促進(jìn)其生長(zhǎng)，也就相應(yīng)的增加了沉降幾率和對(duì)晶圓表面的危害程度。同時(shí)MC也會(huì)以分子態(tài)或者單分子層凝結(jié)到晶圓或者設(shè)備部件表面。

　　

　　4、摻雜物質(zhì)（MD）：如磷、硼等污染物，可改變半導(dǎo)體電性能。

　　

　　AMC監(jiān)測(cè)的主要目標(biāo)污染物涵蓋了酸類(lèi)、堿類(lèi)、可凝結(jié)物質(zhì)和摻雜物質(zhì)等多個(gè)類(lèi)別。這些污染物在半導(dǎo)體制造過(guò)程中可能對(duì)晶圓良率產(chǎn)生嚴(yán)重影響，因此需要對(duì)其進(jìn)行嚴(yán)格監(jiān)測(cè)和控制。